Numer produktu producenta:
FDP18N20F
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDP18N20F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
12930621
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDP18N20F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
UniFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
145mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FDP18
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FDP18N20F-488
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDPF18N20FT
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
FDPF18N20FT-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.60
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IRF640NPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
63317
NUMER CZĘŚCI
IRF640NPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.41
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CPH6354-TL-W
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
NVTFS9D6P04M8L
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
UF3SC120016K3S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3