FDP083N15A-F102
Numer produktu producenta:

FDP083N15A-F102

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDP083N15A-F102-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220-3

Magazyn:

4842 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12846909
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDP083N15A-F102 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
83A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6040 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
294W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FDP083

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
FDP083N15A_F102
FDP083N15A_F102FS-DG
FDP083N15AF102
FDP083N15A_F102-DG
Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FDMC7672S

MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP

onsemi

FDFMA2P029Z-F106

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

onsemi

HUFA76419S3ST

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

onsemi

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC