FDN8601
Numer produktu producenta:

FDN8601

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDN8601-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 2.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Magazyn:

20024 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12838623
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDN8601 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
109mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
210 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
FDN860

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
FDN8601DKR
ONSONSFDN8601
FDN8601TR
FDN8601-DG
2156-FDN8601-OS
2832-FDN8601TR
FDN8601CT
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FQU1N60TU

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

onsemi

FDS4480

MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC

infineon-technologies

BSS84PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

onsemi

FQU11P06TU

MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK