Numer produktu producenta:
FDMS86520L
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDMS86520L-DG
Opis:
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Magazyn:
4770 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12846444
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
r5Xe
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDMS86520L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13.5A (Ta), 22A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4615 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
FDMS86520
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDMS86520LFSTR
FDMS86520L-DG
FDMS86520LFSDKR
FDMS86520LFSCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDP150N10
MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
IRF740B
MOSFET N-CH 400V 10A TO220-3
FCPF600N60Z
MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F
