FDMS86202
Numer produktu producenta:

FDMS86202

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDMS86202-DG

Opis:

MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Szczegółowy opis:
N-Channel 120 V 13.5A (Ta) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Magazyn:

12846953
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDMS86202 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
120 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4250 pF @ 60 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.7W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
FDMS86

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
FDMS86202DKR
FDMS86202CT
FDMS86202TR
2156-FDMS86202-OS
ONSFSCFDMS86202
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FDMC8651

MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33

onsemi

FQP19N20L

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

infineon-technologies

64-2128

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

onsemi

CPH6355-TL-H

MOSFET P-CH 30V 3A 6CPH