FDMS86200
Numer produktu producenta:

FDMS86200

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDMS86200-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Magazyn:

21294 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12847284
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDMS86200 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2715 pF @ 75 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
FDMS86

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-FDMS86200-488
FDMS86200DKR
2832-FDMS86200-488
FDMS86200TR
FDMS86200CT
2832-FDMS86200TR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

NVMFS5A140PLZWFT1G

MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN

onsemi

FDC655BN

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

onsemi

FDD18N20LZ

MOSFET N-CH 200V 16A DPAK

onsemi

FDR4420A

MOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8