Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FDMS8560S
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDMS8560S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 30A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12839279
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDMS8560S Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
PowerTrench®, SyncFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Ta), 70A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4350 pF @ 13 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
FDMS85
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FDMS8560S
Karta danych HTML
FDMS8560S-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDMS8560SDKR
FDMS8560SCT
2832-FDMS8560S
FDMS8560STR
FDMS8560S-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
CSD16325Q5
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5572
NUMER CZĘŚCI
CSD16325Q5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.85
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
CSD16414Q5
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2602
NUMER CZĘŚCI
CSD16414Q5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.77
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
BSC018NE2LSIATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9750
NUMER CZĘŚCI
BSC018NE2LSIATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.50
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
BSC018NE2LSATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
11357
NUMER CZĘŚCI
BSC018NE2LSATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.49
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC025N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
FDS3170N7
MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
FCP16N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
FQD1P50TF
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK