FDMS7682
Numer produktu producenta:

FDMS7682

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDMS7682-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Magazyn:

5880 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12839971
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDMS7682 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16A (Ta), 22A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1885 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
FDMS76

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
FDMS7682CT
FDMS7682TR
FDMS7682DKR
2156-FDMS7682-488
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FDT86256

MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223

onsemi

NTD32N06

MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

onsemi

FQP7N10

MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3

infineon-technologies

IGO60R070D1AUMA1

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO