Numer produktu producenta:
FDMS1D4N03S
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDMS1D4N03S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Magazyn:
12846493
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDMS1D4N03S Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
PowerTrench®, SyncFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
211A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.09mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10250 pF @ 15 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Body)
Rozpraszanie mocy (maks.)
74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
FDMS1D4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDMS1D4N03SCT
FDMS1D4N03SDKR
2156-FDMS1D4N03STR
2832-FDMS1D4N03STR
FDMS1D4N03STR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
CSD17559Q5
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1524
NUMER CZĘŚCI
CSD17559Q5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.04
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AOB411L
MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263
BMS4007
MOSFET N-CH 75V 60A TO220ML
FQPF12N60C
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
