Numer produktu producenta:
FDMS0309AS
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDMS0309AS-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Magazyn:
5988 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12836884
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDMS0309AS Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®, SyncFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
21A (Ta), 49A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3000 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
FDMS03
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
1990-FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR-DG
FDMS0309ASCT-DG
FDMS0309ASDKR-DG
FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR
1990-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASCT
488-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASTR
FDMS0309ASDKR
1990-FDMS0309ASTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDBL86361-F085
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
FDW256P
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
FDMC007N08LC
MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
