Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FDMC6890NZ
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDMC6890NZ-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 4A MICROFET 3X3
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 4A 1.92W, 1.78W Surface Mount MicroFET 3x3mm
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12839055
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDMC6890NZ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Last Time Buy
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
68mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3.4nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
270pF @ 10V
Moc - Max
1.92W, 1.78W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-WDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
MicroFET 3x3mm
Podstawowy numer produktu
FDMC6890
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FDMC6890NZ
Karta danych HTML
FDMC6890NZ-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDMC6890NZCT
FDMC6890NZDKR
FDMC6890NZTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PMDPB30XN,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
686
NUMER CZĘŚCI
PMDPB30XN,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.10
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
EFC6605R-TR
MOSFET 2N-CH 6EFCP
FDMC8030
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
ECH8649-TL-H
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8ECH
EFC6612R-TF
MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP