Numer produktu producenta:
FDL100N50F
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDL100N50F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 100A (Tc) 2500W (Tc) Through Hole TO-264-3
Magazyn:
111 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12839517
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
RVHe
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDL100N50F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
UniFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
55mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
238 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12000 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-264-3
Pakiet / Walizka
TO-264-3, TO-264AA
Podstawowy numer produktu
FDL100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
HUFA75345S3S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDN308P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
IRLS630A
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
