Numer produktu producenta:
FDG311N
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDG311N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Magazyn:
12839577
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Ubeq
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDG311N Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
270 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
750mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-88 (SC-70-6)
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Podstawowy numer produktu
FDG311
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDG311NTR
FDG311NCT
FDG311N-DG
2832-FDG311NTR
2166-FDG311N-488
FDG311NDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NDF11N50ZG
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
FDBL86066-F085
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
IRLR210ATM
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK