FDFS6N754

Numer produktu producenta:

FDFS6N754

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDFS6N754-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC

Szczegółowy opis:

N-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Magazyn:

Zapytanie ofertowe Online

12837403

Poproś o wycenę

Ilość
Minimum 1

PElu

(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

ZATWIERDŹ

FDFS6N754 Specyfikacje techniczne

Kategoria

FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent

onsemi

Opakowanie

-

Seria

PowerTrench®

Status produktu

Obsolete

Typ tranzystora FET

N-Channel

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C

4A (Ta)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)

4.5V, 10V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

6 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

299 pF @ 15 V

Funkcja FET

Schottky Diode (Isolated)

Rozpraszanie mocy (maks.)

1.6W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rodzaj montażu

Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy

8-SOIC

Pakiet / Walizka

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Podstawowy numer produktu

FDFS6

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy

FDFS6N754DKR

FDFS6N754CT

FDFS6N754TR

Pakiet Standard

2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T

EAR99

HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T

8541.29.0095

Certyfikacja DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produkty powiązane

onsemi

FDI8442

MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK

onsemi

FDS4685

MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC

onsemi

CPH3457-TL-W

MOSFET N-CH 30V 3A 3CPH

onsemi

FDV305N

MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23