Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FDD8870
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDD8870-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Magazyn:
3613 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12848947
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDD8870 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
21A (Ta), 160A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5160 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
FDD887
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FDD8870
Karta danych HTML
FDD8870-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDD8870FSDKR
FDD8870-DG
FDD8870FSCT
FDD8870FSTR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PJD85N03_L2_00001
PRODUCENT
Panjit International Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
PJD85N03_L2_00001-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.20
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STD150N3LLH6
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5
NUMER CZĘŚCI
STD150N3LLH6-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.91
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STB155N3LH6
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STB155N3LH6-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.09
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPD031N03LGATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4331
NUMER CZĘŚCI
IPD031N03LGATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.51
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
AOD514
PRODUCENT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
13006
NUMER CZĘŚCI
AOD514-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.13
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
AOY66923
MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
HUF75617D3S
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
AOTF2918L
MOSFET N-CH 100V 13A/58A TO220F