FDD120AN15A0
Numer produktu producenta:

FDD120AN15A0

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDD120AN15A0-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Magazyn:

19980 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12847041
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDD120AN15A0 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
770 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
65W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
FDD120

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
FDD120AN15A0CT
FDD120AN15A0-DG
FDD120AN15A0TR
FDD120AN15A0DKR
Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
alpha-and-omega-semiconductor

AOI516

MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A

onsemi

FDMA507PZ

MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET

onsemi

FQP18N50V2

MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3

onsemi

FQP2P40-F080

MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3