Numer produktu producenta:
FDC637AN
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDC637AN-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Magazyn:
12361 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12838835
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDC637AN Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1125 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SuperSOT™-6
Pakiet / Walizka
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Podstawowy numer produktu
FDC637
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDC637AN-DG
2156-FDC637AN-OS
ONSONSFDC637AN
FDC637ANCT
FDC637ANDKR
FDC637ANTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSS214NW L6327
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
FQPF46N15
MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
HUFA75307D3S
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA