Numer produktu producenta:
FDC6333C
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDC6333C-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 2.5A, 2A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Magazyn:
31953 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12847684
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDC6333C Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.5A, 2A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
282pF @ 15V
Moc - Max
700mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
SuperSOT™-6
Podstawowy numer produktu
FDC6333
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDC6333CTR
2156-FDC6333C-OS
ONSONSFDC6333C
FDC6333CDKR
FDC6333CCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDS6990A
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
EFC4K110NUZTDG
MOSFET 2N-CH 24V 25A 10WLCSP
NVLJD4007NZTBG
MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
