Numer produktu producenta:

FDC6321C

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDC6321C-DG

Opis:

MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6

Szczegółowy opis:

Mosfet Array 25V 680mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Magazyn:

32350 Nowe oryginalne sztuki w magazynie

12838747

Poproś o wycenę

Ilość
Minimum 1

UWn5

(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

ZATWIERDŹ

FDC6321C Specyfikacje techniczne

Kategoria

FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET

Producent

onsemi

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

Seria

-

Status produktu

Active

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracja

N and P-Channel

Funkcja FET

Logic Level Gate

Napięcie dren-źródło (Vdss)

25V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C

680mA, 460mA

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

2.3nC @ 5V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

50pF @ 10V

Moc - Max

700mW

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rodzaj montażu

Surface Mount

Pakiet / Walizka

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pakiet urządzeń dostawcy

SuperSOT™-6

Podstawowy numer produktu

FDC6321

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy

FDC6321CTR

FDC6321CCT

FDC6321C-DG

FDC6321CDKR

Pakiet Standard

3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T

EAR99

HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T

8541.21.0095

Certyfikacja DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produkty powiązane

onsemi

ECH8672-TL-H

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8ECH

onsemi

EMH2604-TL-H

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 8EMH

onsemi

FDG6332C

MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88

onsemi

FDW2502P

MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8TSSOP