Numer produktu producenta:
FDB6670AL
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDB6670AL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12847382
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDB6670AL Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2440 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
68W (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
FDB667
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PSMN4R3-30BL,118
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9945
NUMER CZĘŚCI
PSMN4R3-30BL,118-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.58
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PSMN017-30BL,118
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1868
NUMER CZĘŚCI
PSMN017-30BL,118-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.37
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPI057N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
FQB5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
NVMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
