FDB082N15A
Numer produktu producenta:

FDB082N15A

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDB082N15A-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Magazyn:

508 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12845906
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
gRrQ
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDB082N15A Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
117A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6040 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
294W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
FDB082

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
FDB082N15A-DG
FDB082N15AFSCT
FDB082N15AFSDKR
FDB082N15AFSTR
Pakiet Standard
800

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
IXTA140N12T2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTA140N12T2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.93
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPB072N15N3GATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4910
NUMER CZĘŚCI
IPB072N15N3GATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.99
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPB108N15N3GATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3546
NUMER CZĘŚCI
IPB108N15N3GATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.29
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FQD8P10TM_F080

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT11N70

MOSFET N-CH 700V 11A TO220

onsemi

NTMJS1D2N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO220