Numer produktu producenta:
FDA69N25
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDA69N25-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN
Magazyn:
800 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12850654
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDA69N25 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
UniFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
69A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
41mOhm @ 34.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4640 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
480W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3PN
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
FDA69
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FDA69N25-OS
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQD10N20CTM_F080
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
HUF75623P3
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
IRLR130ATM
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
