Numer produktu producenta:
FDA16N50-F109
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDA16N50-F109-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Magazyn:
283 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12845674
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDA16N50-F109 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
UniFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1945 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3PN
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
FDA16N50
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDA16N50-F109OS
FDA16N50_F109-DG
FDA16N50-F109-DG
FDA16N50_F109
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AON7418A
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
FCH110N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
AOI2N60
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
