FCPF2250N80Z
Numer produktu producenta:

FCPF2250N80Z

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FCPF2250N80Z-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Magazyn:

12848773
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FCPF2250N80Z Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
SuperFET® II
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 260µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
585 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
21.9W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
FCPF2250

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2832-FCPF2250N80Z
2832-FCPF2250N80Z-488
Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
R8003KNXC7G
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
477
NUMER CZĘŚCI
R8003KNXC7G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.99
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
alpha-and-omega-semiconductor

AO4310

MOSFET N-CH 36V 27A 8SOIC

onsemi

FQP4N50

MOSFET N-CH 500V 3.4A TO220-3

infineon-technologies

IPD30N03S2L20ATMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31

onsemi

FQA11N90

MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P