Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FCP190N65F
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FCP190N65F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
1600 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12845181
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FCP190N65F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
FRFET®, SuperFET® II
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3225 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FCP190
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FCP190N65F
Karta danych HTML
FCP190N65F-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FCP190N65F-OS
ONSONSFCP190N65F
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIHP22N60E-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SIHP22N60E-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.67
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP24N60DM2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
105
NUMER CZĘŚCI
STP24N60DM2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.48
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP26N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STP26N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.34
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP20N65M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
945
NUMER CZĘŚCI
STP20N65M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.36
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AOC2423
MOSFET P-CH 20V 2A 4ALPHADFN
NVMFS4C05NWFT3G
MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
AON6262E
MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
AON7246E
MOSFET N-CHANNEL 60V 13A 8DFN