Numer produktu producenta:
FCP130N60
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FCP130N60-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
556 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12851115
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FCP130N60 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
SuperFET® II
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
28A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3590 pF @ 380 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FCP130
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIHP28N65E-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SIHP28N65E-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.49
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP33N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
727
NUMER CZĘŚCI
STP33N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.08
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDC796N_F077
MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
FCD600N60Z
MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
IRLM110ATF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4
