Numer produktu producenta:
BS107G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
BS107G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Magazyn:
12848208
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BS107G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
350mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92 (TO-226)
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Podstawowy numer produktu
BS107
Karta katalogowa i dokumenty
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BS107GOS
BS107G-DG
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AOUS66616
MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8
FDC604P
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
AOW11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
