Numer produktu producenta:
2SJ656
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
2SJ656-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML
Magazyn:
12836930
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SJ656 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
75.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220ML
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
2SJ656
Karta katalogowa i dokumenty
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
869-1053
Pakiet Standard
100
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTP18P10T
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2485
NUMER CZĘŚCI
IXTP18P10T-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.06
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDMS86104
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
HUF75309P3
MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
