Numer produktu producenta:
2SD863F-AE
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
2SD863F-AE-DG
Opis:
BIP NPN 1A 50V
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Magazyn:
15000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12938350
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
ibuA
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SD863F-AE Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
1 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
1µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 50mA, 2V
Moc - Max
900 mW
Częstotliwość - Przejście
150MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Ocena
-
Kwalifikacja
-
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pakiet urządzeń dostawcy
3-MP
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONS2SD863F-AE
2156-2SD863F-AE
Pakiet Standard
1,664
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
Not applicable
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
MJ15016G
TRANS PNP 120V 15A TO204
D44VM10
TRANS NPN 80V 8A TO220AB
NMBT3906235
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
