2SB1216S-H
Numer produktu producenta:

2SB1216S-H

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

2SB1216S-H-DG

Opis:

TRANS PNP 100V 4A TP
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP

Magazyn:

12837920
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

2SB1216S-H Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
PNP
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
4 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
100 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
1µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Moc - Max
1 W
Częstotliwość - Przejście
130MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TP
Podstawowy numer produktu
2SB1216

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

2SC4135T-E

TRANS NPN 100V 2A TP

onsemi

KSH112ITU

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

onsemi

BDX33CTU

TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3

onsemi

BC640ZL1G

TRANS PNP 80V 0.5A TO92