Numer produktu producenta:
2N5401BU
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
2N5401BU-DG
Opis:
BJT TO92 150V PNP 0.625W 150C
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Magazyn:
12834166
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2N5401BU Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
PNP
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
600 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
150 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
50nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Moc - Max
625 mW
Częstotliwość - Przejście
400MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Podstawowy numer produktu
2N5401
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2N5401
2N5401-NDR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
2N5401YBU
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
60032
NUMER CZĘŚCI
2N5401YBU-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.04
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
