Numer produktu producenta:
PSMN018-100ESFQ
Product Overview
Producent:
NXP Semiconductors
Numer części:
PSMN018-100ESFQ-DG
Opis:
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK
Magazyn:
4976 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12996452
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PSMN018-100ESFQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
NXP Semiconductors
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
53A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1482 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
111W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-PSMN018-100ESFQ-954
Pakiet Standard
751
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
R8009KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1
IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO
SCH1331-TL-W
POWER MOSFET
