Numer produktu producenta:
PMPB29XNE,115
Product Overview
Producent:
NXP USA Inc.
Numer części:
PMPB29XNE,115-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Magazyn:
19000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12947298
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
yxIk
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PMPB29XNE,115 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
NXP Semiconductors
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1150 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN1010B-6
Pakiet / Walizka
6-XFDFN Exposed Pad
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-PMPB29XNE,115
NEXNXPPMPB29XNE,115
Pakiet Standard
3,184
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDPF5N50NZU
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
HUF75639S3ST
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FDMC7660S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
