NTE2018
Numer produktu producenta:

NTE2018

Product Overview

Producent:

NTE Electronics, Inc

Numer części:

NTE2018-DG

Opis:

IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP

Magazyn:

22 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12950372
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

NTE2018 Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych
Producent
Opakowanie
Bag
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
8 NPN Darlington
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
600mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Moc - Max
1W
Częstotliwość - Przejście
-
Temperatura
-20°C ~ 85°C (TA)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Pakiet urządzeń dostawcy
18-PDIP
Podstawowy numer produktu
NTE20

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2368-NTE2018
Pakiet Standard
1

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.31.0000
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
microchip-technology

JANTXV2N3810U/TR

TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

diodes

ZXTDA1M832TA

TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP

microchip-technology

JANTX2N5796U/TR

TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANS2N2920U/TR

TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT