Numer produktu producenta:
NTE2018
Product Overview
Producent:
NTE Electronics, Inc
Numer części:
NTE2018-DG
Opis:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Magazyn:
22 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12950372
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTE2018 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych
Producent
Opakowanie
Bag
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
8 NPN Darlington
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
600mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Moc - Max
1W
Częstotliwość - Przejście
-
Temperatura
-20°C ~ 85°C (TA)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Pakiet urządzeń dostawcy
18-PDIP
Podstawowy numer produktu
NTE20
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2368-NTE2018
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.31.0000
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
JANTXV2N3810U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
ZXTDA1M832TA
TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
JANTX2N5796U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
