Numer produktu producenta:
NTE25
Product Overview
Producent:
NTE Electronics, Inc
Numer części:
NTE25-DG
Opis:
TRANS PNP 80V 1A TO237
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 50MHz 850 mW Through Hole TO-237
Magazyn:
128 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12923273
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTE25 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
NTE Electronics, Inc.
Opakowanie
Bag
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
PNP
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
1 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
80 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 100mA, 1A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 250mA, 2V
Moc - Max
850 mW
Częstotliwość - Przejście
50MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-237AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-237
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2368-NTE25
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
