Numer produktu producenta:
NTE2386
Product Overview
Producent:
NTE Electronics, Inc
Numer części:
NTE2386-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO3
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-3
Magazyn:
180 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12925061
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTE2386 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
NTE Electronics, Inc.
Opakowanie
Bag
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3
Pakiet / Walizka
TO-204AA, TO-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2368-NTE2386
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
JANTXV2N6788U
MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
HUF75337S3S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDB3860
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
