Numer produktu producenta:
BDV65
Product Overview
Producent:
NTE Electronics, Inc
Numer części:
BDV65-DG
Opis:
TRANS NPN 60V 12A TO218
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 12 A 60MHz 125 W Through Hole TO-218
Magazyn:
613 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12923205
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BDV65 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
NTE Electronics, Inc.
Opakowanie
Bag
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
12 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
60 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
-
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Moc - Max
125 W
Częstotliwość - Przejście
60MHz
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-218-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-218
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2368-BDV65
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2N6725
TRANS NPN DARL 50V 1A TO237
NTE245
TRANS NPN DARL 80V 10A TO3
JANTXV2N4237
TRANS NPN 40V 1A TO39
