Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
PUMH9/ZL135
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PUMH9/ZL135-DG
Opis:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12936650
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PUMH9/ZL135 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Nexperia
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
10kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA
Częstotliwość - Przejście
230MHz
Moc - Max
300mW
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSSOP
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
PUMH9/ZL135
Karta danych HTML
PUMH9/ZL135-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-PUMH9/ZL135
NEXNEXPUMH9/ZL135
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
Not applicable
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BCR183S
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
NSB4904DW1T2G
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MUN5114DW1T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
NSBC114TDXV6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563