Numer produktu producenta:
PSMN8R7-80BS,118
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PSMN8R7-80BS,118-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Magazyn:
5398 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12920561
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PSMN8R7-80BS,118 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3346 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
PSMN8R7
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
568-9708-1
5202-PSMN8R7-80BS,118TR
568-9708-2
934066203118
PSMN8R780BS118
568-9708-6
568-9708-6-DG
568-9708-2-DG
1727-7217-1
568-9708-1-DG
PSMN8R7-80BS,118-DG
1727-7217-6
1727-7217-2
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHG100N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC
SIHH186N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
SUP45N03-13L-E3
MOSFET N-CH 30V 45A TO220AB
