Numer produktu producenta:
PSMN8R5-100PSQ
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PSMN8R5-100PSQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
1371 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12830556
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PSMN8R5-100PSQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5512 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
263W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
PSMN8R5
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
934067376127
1727-1053
568-10160-5-DG
PSMN8R5100PSQ
568-10160-5
5202-PSMN8R5-100PSQTR
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BUK7Y29-40EX
MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56
BUK9907-40ATC,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
PSMN3R0-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
