Numer produktu producenta:
PSMN7R8-120ESQ
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PSMN7R8-120ESQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Magazyn:
12829270
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PSMN7R8-120ESQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
120 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
70A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9473 pF @ 60 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
349W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
PSMN7R8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
1727-1509
934067449127
568-10989-5
2156-PSMN7R8-120ESQ-1727
568-10989-5-DG
PSMN7R8-120ESQ-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPI076N12N3GAKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
498
NUMER CZĘŚCI
IPI076N12N3GAKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.44
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BUK7M42-60EX
MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33
BUK9605-30A,118
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
PSMN4R5-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56
