PSMN3R5-80ES,127
Numer produktu producenta:

PSMN3R5-80ES,127

Product Overview

Producent:

Nexperia USA Inc.

Numer części:

PSMN3R5-80ES,127-DG

Opis:

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK

Magazyn:

12830958
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

PSMN3R5-80ES,127 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9800 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
338W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
1727-5283
568-6711-DG
2166-PSMN3R5-80ES,127-1727
568-6711
934065163127
568-6711-5
568-6711-5-DG
Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
PSMN3R5-80PS,127
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5952
NUMER CZĘŚCI
PSMN3R5-80PS,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.00
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nexperia

PMPB24EPX

MOSFET P-CH 30V 6.4A DFN2020MD-6

nexperia

PSMN3R9-25MLC,115

MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33

nexperia

PMK50XP,518

MOSFET P-CH 20V 7.9A 8SO

nexperia

PSMN6R3-120PS

MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB