Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
PSMN1R9-40PL,127
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PSMN1R9-40PL,127-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 150A (Ta) 349W (Ta) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12947725
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PSMN1R9-40PL,127 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
150A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
349W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
PSMN1R9
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
PSMN1R9-40PL,127
Karta danych HTML
PSMN1R9-40PL,127-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NEXNEXPSMN1R9-40PL,127
2156-PSMN1R9-40PL,127-NEX
Pakiet Standard
173
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
0000.00.0000
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PMCM6501VPEZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
CMS07P10V8-HF
MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PRPAK
A2N7002HL-HF
MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3
STB11NM60T4
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK