PSMN1R9-40PL,127
Numer produktu producenta:

PSMN1R9-40PL,127

Product Overview

Producent:

Nexperia USA Inc.

Numer części:

PSMN1R9-40PL,127-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 150A (Ta) 349W (Ta) Through Hole TO-220AB

Magazyn:

12947725
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

PSMN1R9-40PL,127 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
150A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
349W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
PSMN1R9

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
NEXNEXPSMN1R9-40PL,127
2156-PSMN1R9-40PL,127-NEX
Pakiet Standard
173

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
0000.00.0000
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nxp-semiconductors

PMCM6501VPEZ

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

comchip-technology

CMS07P10V8-HF

MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PRPAK

comchip-technology

A2N7002HL-HF

MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3

stmicroelectronics

STB11NM60T4

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK