Numer produktu producenta:
PSMN1R2-25YLDX
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PSMN1R2-25YLDX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 172W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Magazyn:
3755 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12831647
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PSMN1R2-25YLDX Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4327 pF @ 12 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Body)
Rozpraszanie mocy (maks.)
172W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK56, Power-SO8
Pakiet / Walizka
SC-100, SOT-669
Podstawowy numer produktu
PSMN1R2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
568-12928-1-DG
568-12928-2-DG
568-12928-6
1727-2496-6
5202-PSMN1R2-25YLDXTR
568-12928-6-DG
1727-2496-2
1727-2496-1
568-12928-1
568-12928-2
934069909115
Pakiet Standard
1,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PMV230ENEAR
MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
PHD71NQ03LT,118
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
PMV35EPER
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
