Numer produktu producenta:
PSMN1R2-25YL,115
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PSMN1R2-25YL,115-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 121W (Tc) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
Magazyn:
16330 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12830254
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PSMN1R2-25YL,115 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6380 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
121W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK56; Power-SO8
Pakiet / Walizka
SOT-1023, 4-LFPAK
Podstawowy numer produktu
PSMN1R2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
5202-PSMN1R2-25YL,115TR
1727-4277-6
568-4909-6-DG
568-4909-1-DG
568-4909-2-DG
568-4909-2
568-4909-1
934063812115
PSMN1R225YL115
568-4909-6
1727-4277-1
1727-4277-2
Pakiet Standard
1,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PSMNR90-40SSHJ
MOSFET N-CH 40V 375A LFPAK88
BUK6C2R1-55C,118
MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
PMPB50ENEX
MOSFET DFN2020MD-6
