PSMN1R1-30EL,127
Numer produktu producenta:

PSMN1R1-30EL,127

Product Overview

Producent:

Nexperia USA Inc.

Numer części:

PSMN1R1-30EL,127-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK

Magazyn:

12833104
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

PSMN1R1-30EL,127 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
243 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14850 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
338W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
PSMN1R1

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
1727-5287
568-6715-5
568-6715-DG
2156-PSMN1R1-30EL,127-1727
568-6715
568-6715-5-DG
934065159127
Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nexperia

PMV50UPEVL

MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB

onsemi

2SK3703-1EX

MOSFET N-CH TO220F

nexperia

BUK9880-55,135

MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223

onsemi

2SK4124

MOSFET N-CH 500V 20A TO3PB