Numer produktu producenta:
PSMN057-200P,127
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PSMN057-200P,127-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
12828001
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PSMN057-200P,127 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tube
Seria
TrenchMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
39A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
57mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3750 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
PSMN057
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
568-6641
568-6641-5-DG
PSMN057-200P
934056421127
1727-5271
PSMN057-200P,127-DG
5202-PSMN057-200P,127TR
568-6641-DG
PSMN057-200P-DG
568-6641-5
2156-PSMN057-200P,127-1727
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PSMN2R2-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
BUK9Y4R4-40E,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
BUK7507-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
