PSMN026-80YS,115
Numer produktu producenta:

PSMN026-80YS,115

Product Overview

Producent:

Nexperia USA Inc.

Numer części:

PSMN026-80YS,115-DG

Opis:

MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Magazyn:

2820 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12829710
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

PSMN026-80YS,115 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
34A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
27.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK56, Power-SO8
Pakiet / Walizka
SC-100, SOT-669
Podstawowy numer produktu
PSMN026

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
1727-4278-6
568-4910-6-DG
568-4910-6
PSMN02680YS115
568-4910-1-DG
568-4910-2-DG
934063933115
568-4910-1
568-4910-2
5202-PSMN026-80YS,115TR
1727-4278-2
1727-4278-1
Pakiet Standard
1,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nexperia

BUK9Y12-55B,115

MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56

nexperia

PHD9NQ20T,118

MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

nexperia

BUK6607-75C,118

MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

nexperia

PSMN020-100YS,115

MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56