PSMN012-100YLX
Numer produktu producenta:

PSMN012-100YLX

Product Overview

Producent:

Nexperia USA Inc.

Numer części:

PSMN012-100YLX-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 85A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Magazyn:

12831686
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

PSMN012-100YLX Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
85A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7973 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
238W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK56, Power-SO8
Pakiet / Walizka
SC-100, SOT-669
Podstawowy numer produktu
PSMN012

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
934069903115
5202-PSMN012-100YLXTR
Pakiet Standard
1,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nexperia

BUK962R8-30B,118

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

nexperia

PHP33NQ20T,127

MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB

nexperia

PSMN5R0-100ES,127

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

nexperia

PHP28NQ15T,127

MOSFET N-CH 150V 28.5A TO220AB