Numer produktu producenta:
PMV65XP/MIR
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PMV65XP/MIR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Magazyn:
12831152
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PMV65XP/MIR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
744 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
934068504215
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PMV65XP,215
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
276273
NUMER CZĘŚCI
PMV65XP,215-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.06
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSH205G2R
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
BUK9606-55A,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
AUIRFS3006
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
